Verona, C., Ciccognani, W., Colangeli, S., Di Pietrantonio, F., Giovine, E., Limiti, E., et al. (2015). Gate–Source distance scaling effects in H-terminated diamond MESFETs: optimization of layout and output current density. In Proceedings of the Conference on Nanoscale excitations in emergent materials.

Gate–Source distance scaling effects in H-terminated diamond MESFETs: optimization of layout and output current density

C. Verona;W. Ciccognani;S. Colangeli;F. Di Pietrantonio;E. Limiti;M. Marinelli;G. Verona-Rinati
2015-10-01

Conference on Nanoscale excitations in emergent materials
Roma
2015
Rilevanza internazionale
contributo
ott-2015
ott-2015
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Intervento a convegno
Verona, C., Ciccognani, W., Colangeli, S., Di Pietrantonio, F., Giovine, E., Limiti, E., et al. (2015). Gate–Source distance scaling effects in H-terminated diamond MESFETs: optimization of layout and output current density. In Proceedings of the Conference on Nanoscale excitations in emergent materials.
Verona, C; Ciccognani, W; Colangeli, S; Di Pietrantonio, F; Giovine, E; Limiti, E; Marinelli, M; Verona-Rinati, G
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