GaN HEMTs are ideal for making high-power amplifiers for satellite communication, because they are lightweight, compact, efficient and capable of delivering a high, uniform gain over a broad bandwidth.

Giofre', R., Colantonio, P., Gonzalez, L., De Arriba, F., Cabria, L. (2016). Demonstrating the capability of GaN HEMTs for Satellite Communication. COMPOUND SEMICONDUCTOR, 22(5), 32-38.

Demonstrating the capability of GaN HEMTs for Satellite Communication

GIOFRE', ROCCO;COLANTONIO, PAOLO;
2016-07-01

Abstract

GaN HEMTs are ideal for making high-power amplifiers for satellite communication, because they are lightweight, compact, efficient and capable of delivering a high, uniform gain over a broad bandwidth.
lug-2016
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Sì, ma tipo non specificato
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Giofre', R., Colantonio, P., Gonzalez, L., De Arriba, F., Cabria, L. (2016). Demonstrating the capability of GaN HEMTs for Satellite Communication. COMPOUND SEMICONDUCTOR, 22(5), 32-38.
Giofre', R; Colantonio, P; Gonzalez, L; De Arriba, F; Cabria, L
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