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Ciccognani, W., Ferrari, M., Limiti, E. (2010). High-isolation microstrip GaN HEMT single-FET switch. INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING, 20(4), 391-398 [10.1002/mmce.20443].

High-isolation microstrip GaN HEMT single-FET switch

CICCOGNANI, WALTER;LIMITI, ERNESTO
2010-07-01
lug-2010
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Sì, ma tipo non specificato
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Con Impact Factor ISI
Ciccognani, W., Ferrari, M., Limiti, E. (2010). High-isolation microstrip GaN HEMT single-FET switch. INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING, 20(4), 391-398 [10.1002/mmce.20443].
Ciccognani, W; Ferrari, M; Limiti, E
Articolo su rivista
01 - Articolo su rivista
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